少数载流子的注入和欧姆接触

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前置知识：

少子的注入

前面扩散理论的分析中，电流是如何产生的？以N型半导体的金半接触为例，结面的电子浓度为$n(0) = n_{0}exp(-\frac{qV_{D}}{k_{0}T})$，低于半导体内的电子浓度。平衡时，扩散电流和电场作用下的漂移流相抵消，外加正向电压时，电场作用减弱，扩散流占主导，形成正向电流

而在这个过程中，N型半导体的少子空穴做了什么？首先，在结面的空穴浓度$p(0) = p_{0}exp(\frac{qV_{D}}{k_{0}T})$，大于体内的空穴浓度。平衡时，扩散电流和电场作用下的漂移流相抵消，外加正向电压时，电场作用减弱，扩散流占主导，与电子扩散方向相反，对总的电流有贡献，如果$V_{D}$很大，那么空穴的浓度梯度就会很大，对总电流的贡献相当可观

实际上，扩散进入半导体内的空穴不是马上复合完的，必须在阻挡层和中性区边界形成积累，然后依靠扩散运动继续进入半导体内部。所以，空穴对总电流的贡献还取决与空穴进入半导体体内的扩散效率

欧姆接触

金半接触分为两种类型：

• 整流接触(肖特基接触)
• 非整流接触(欧姆接触)

欧姆接触不产生明显的附加阻抗，也不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著改变。例如，对于肖特基接触，接触产生的阻挡层是高阻区域，会使接触的整个系统的电阻增大，而对于欧姆接触，只在半导体侧表面形成一层很薄的多子积累区域，对导电性能的影响微小